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ES622 系列TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)

ES622 系列TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)

更新時(shí)間:2025-09-30

產(chǎn)品型號(hào):

產(chǎn)品報(bào)價(jià):

產(chǎn)品特點(diǎn):ES622 系列TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)是一種先進(jìn)的 IV曲線(xiàn)表征系統(tǒng),旨在模擬 ESD事件(TLP/VF-TLP/HMM/HBM/MM脈沖)及監(jiān)控器件(半導(dǎo)體、分立器件、電路模塊等)的高功率時(shí)域特性。相比前代的ES620及ES621型號(hào),ES622 TLP系統(tǒng)規(guī)格更高,功能更多,擴(kuò)展能力更強(qiáng),軟件體驗(yàn)更佳。

ES622 系列TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)的詳細(xì)資料:

ESDEMC Technology LLC 由 Wei Huang 于 2011 年 3 月在美國(guó)密蘇里州羅拉創(chuàng)立。ESDEMC 開(kāi)發(fā) ESD 和 EMC 解決方案。公司致力于提供創(chuàng)新、先進(jìn)、高質(zhì)量和具有成本效益的解決方案以及一般咨詢(xún)、測(cè)試服務(wù)和定制項(xiàng)目。產(chǎn)品包括充電設(shè)備模型 (CDM) 系統(tǒng)、電纜放電事件 (CDE) 系統(tǒng)、ESD 模擬器、脈沖衰減器、電流探頭、用于射頻發(fā)射/免疫的 TEM 電池、高壓直流電源、定制的高壓/射頻設(shè)計(jì)。ESDEMC Technology 自 2012 年以來(lái)一直是 ESD 協(xié)會(huì)的企業(yè)會(huì)員。

ES622 系列TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)是一種先進(jìn)的 IV曲線(xiàn)表征系統(tǒng),旨在模擬 ESD事件(TLP/VF-TLP/HMM/HBM/MM脈沖)及監(jiān)控器件(半導(dǎo)體、分立器件、電路模塊等)的高功率時(shí)域特性。相比前代的ES620及ES621型號(hào),ES622 TLP系統(tǒng)規(guī)格更高,功能更多,擴(kuò)展能力更強(qiáng),軟件體驗(yàn)更佳。

傳輸線(xiàn)脈沖(TLP)測(cè)試功能旨在滿(mǎn)足最新的ANSI/ESD STM5.5.1測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),將高質(zhì)量矩形脈沖注入被測(cè)器件,并記錄器件兩端的電壓和通過(guò)的電流。測(cè)試軟件可自動(dòng)繪制脈沖IV曲線(xiàn),并在納秒級(jí)時(shí)間窗口內(nèi)表征器件的瞬態(tài)響應(yīng)。設(shè)備集成了先進(jìn)的自動(dòng)器件故障檢測(cè)方法,例如:DC單點(diǎn)檢測(cè)(V或I)、靜態(tài)IV曲線(xiàn)、熔斷、擊穿和偏置源波動(dòng)。

VF-TLP測(cè)試旨在模擬CDM類(lèi)型的ESD事件,并捕捉高速(例如<100 ps上升時(shí)間)ESD注入下DUT兩端的電壓和通過(guò)DUT的電流。這種測(cè)試可用于研究器件的響應(yīng)速度和峰值鉗位電壓等特性。

人體金屬模型(HMM)測(cè)試功能是IEC61000-4-2系統(tǒng)級(jí)ESD的替代測(cè)試方法。它為低阻值設(shè)備提供了理想的等效波形,并消除了組件或晶圓級(jí)測(cè)試的許多IEC槍測(cè)試問(wèn)題,例如可重復(fù)性差,槍尖注入位置不精確,阻抗不匹配,來(lái)自非屏蔽繼電器的EMI干擾以及需要大接地平面和耦合平面的特殊裝置要求等。

產(chǎn)品特點(diǎn)

 可靈活配置的TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)

 超緊湊的設(shè)計(jì)

 具有多線(xiàn)程處理能力的超快測(cè)試速度

 提供20 A、40A、50 A、100 A125A、150 A型號(hào)(可定制)

  先進(jìn)的測(cè)試軟件,可程控、監(jiān)測(cè)系統(tǒng)測(cè)試設(shè)備和附件(開(kāi)關(guān)壽命檢測(cè)、E-CAL模塊、示波器衰減調(diào)整提示等)

 可拓展多種測(cè)試功能:VF-TLP、HMM、HBMMM

 多種故障自動(dòng)檢測(cè)方式(DC單點(diǎn)檢測(cè)(VI)或IV掃描、熔斷、擊穿和偏置電流變化)

 軟件控制脈沖:?jiǎn)蝹€(gè)脈沖、連續(xù)脈沖、IV曲線(xiàn)掃描測(cè)試

 上升時(shí)間可選范圍:40 ps1200 ns(取決于型號(hào),可定制)

 脈沖寬度可選范圍:0.5 ns2000 ns(取決于型號(hào),可定制)


產(chǎn)品應(yīng)用

 ESD性能表征

 晶圓/封裝級(jí)ESD測(cè)試

 系統(tǒng)/電路模塊ESD測(cè)試

 安全操作區(qū)(SOA)測(cè)試

 充電恢復(fù)時(shí)間測(cè)試

 太陽(yáng)能電池板二極管特性

 觸摸屏ITO微帶線(xiàn)熔斷和擊穿測(cè)試


相關(guān)標(biāo)準(zhǔn):


TLP / VF-TLP選項(xiàng)符合ANSI/ESD STM 5.5.1標(biāo)準(zhǔn)?HMM選項(xiàng)符合ANSI/ESD SP5.6標(biāo)準(zhǔn)

HBM選項(xiàng)符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001標(biāo)準(zhǔn)

MM選項(xiàng)符合ANSI/ESDA SP5.2標(biāo)準(zhǔn)


ES622 系列TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)產(chǎn)品規(guī)格

ES622系列TLP單元規(guī)格表
典型型號(hào)ESS622-20ESS622-50ESS622-100ESS622-125ESS622-150單位

*可根據(jù)要求提供特殊型號(hào),例如40/60/80/100/200+A

開(kāi)路輸出電壓± 0.5 ~1000± 0.5 ~2500± 0.5 ~5000± 0.5 ~6250± 0.5 ~7500V
最小電壓步長(zhǎng)0.10.10.10.10.1V
短路輸出電流± 0.01 ~20± 0.01 ~50± 0.01 ~100± 0.01 ~125± 0.01 ~150A
電壓精度精度可在1-10%之間調(diào)節(jié)%速度/精度軟件可調(diào)
最快上升時(shí)間*(默認(rèn)20-80%)
≤50≤200≤300≤300≤300ps最快可提供40ps(10-90%)上升時(shí)間
上升時(shí)間范圍0.04~12000.2~12000.3~12000.3~12000.3~1200ns
上升時(shí)間選項(xiàng)無(wú)限可編程或手動(dòng)選項(xiàng)
可定制
默認(rèn)脈寬100±1ns50-50%
最小脈寬0.51555ns
最大脈寬20002000150015001000ns
脈寬選項(xiàng)無(wú)限可編程或手動(dòng)選項(xiàng)
可定制
測(cè)試速度通常0.2~2Sec因硬件設(shè)置而異
尺寸347 W X 300 D X 145 H
mm可能因定制而改變
重量8881012kg
支持的示波器Tektronix, Agilent, LeCroy, Rigol的主要系列其他可根據(jù)要求支持
支持的SMUKeithley 24xx/26xx系列SMU其他可根據(jù)要求支持








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